STGWT40HP65FB

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설명: IGBT 트랜지스터 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT, HB 시리즈 650V, 40A 고속

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사양

설명

사양

강조하다:

게이트 이미터 누설 전류::	+/- 250nA	상품 카테고리 ::	IGBT 트랜지스터
장착 스타일::	구멍을 통해	25C에서의 연속 컬렉터 전류::	80A
Pd - 전력 소모 ::	283W	콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대::	650 Ｖ
패키지 / 케이스::	TO-3P-3	최대 작동 온도::	+ 175 Ｃ
최대 게이트 이미터 전압::	+/- 30V	구성 ::	싱글
컬렉터-이미터 포화 전압::	1.6V	제조사::	STM이크로전자

게이트 이미터 누설 전류::	+/- 250nA
상품 카테고리 ::	IGBT 트랜지스터
장착 스타일::	구멍을 통해
25C에서의 연속 컬렉터 전류::	80A
Pd - 전력 소모 ::	283W
콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대::	650 Ｖ
패키지 / 케이스::	TO-3P-3
최대 작동 온도::	+ 175 Ｃ
최대 게이트 이미터 전압::	+/- 30V
구성 ::	싱글
컬렉터-이미터 포화 전압::	1.6V
제조사::	STM이크로전자

설명

STGWT40HP65FB

STMicroelectronics의 STGWT40HP65FB는 IGBT 트랜지스터입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!

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