게이트 이미터 누설 전류:: |
100 nA |
상품 카테고리 :: |
IGBT 트랜지스터 |
장착 스타일:: |
구멍을 통해 |
25C에서의 연속 컬렉터 전류:: |
80A |
Pd - 전력 소모 :: |
429 W |
콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대:: |
1350 V |
패키지 / 케이스:: |
TO-247-3 |
최대 작동 온도:: |
+ 175 C |
최대 게이트 이미터 전압:: |
20 V |
포장:: |
튜브 |
구성 :: |
싱글 |
컬렉터-이미터 포화 전압:: |
2 V |
제조사:: |
인피니온 테크놀로지 |
게이트 이미터 누설 전류:: |
100 nA |
상품 카테고리 :: |
IGBT 트랜지스터 |
장착 스타일:: |
구멍을 통해 |
25C에서의 연속 컬렉터 전류:: |
80A |
Pd - 전력 소모 :: |
429 W |
콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대:: |
1350 V |
패키지 / 케이스:: |
TO-247-3 |
최대 작동 온도:: |
+ 175 C |
최대 게이트 이미터 전압:: |
20 V |
포장:: |
튜브 |
구성 :: |
싱글 |
컬렉터-이미터 포화 전압:: |
2 V |
제조사:: |
인피니온 테크놀로지 |
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