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제품 소개
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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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NGTG15N60S1EG

제품 세부 정보

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설명: IGBT 트랜지스터 15A 600V IGBT

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사양
강조하다:
게이트 이미터 누설 전류::
100 nA
상품 카테고리 ::
IGBT 트랜지스터
장착 스타일::
구멍을 통해
25C에서의 연속 컬렉터 전류::
30 A
Pd - 전력 소모 ::
47W
콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대::
600 V
패키지 / 케이스::
TO-220
포장::
튜브
최대 게이트 이미터 전압::
20 V
컬렉터-이미터 포화 전압::
1.95 V
제조사::
게이트 이미터 누설 전류::
100 nA
상품 카테고리 ::
IGBT 트랜지스터
장착 스타일::
구멍을 통해
25C에서의 연속 컬렉터 전류::
30 A
Pd - 전력 소모 ::
47W
콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대::
600 V
패키지 / 케이스::
TO-220
포장::
튜브
최대 게이트 이미터 전압::
20 V
컬렉터-이미터 포화 전압::
1.95 V
제조사::
설명
NGTG15N60S1EG
ONSEMI의 NGTG15N60S1EG는 IGBT 트랜지스터입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!

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