제품 세부 정보
지불 및 배송 조건
설명: RF 트랜스 NPN 12V 6GHZ SOT89
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
150mA |
제품 상태: |
구식 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
표면 마운트 |
주파수 - 변화: |
6GHz |
패키지: |
스트립 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
12V |
공급자의 장치 패키지: |
- |
Mfr: |
셀 |
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ): |
3.5dB @ 1GHz |
전원 - 맥스: |
1.8W |
이득: |
10dB |
패키지 / 케이스: |
TO-243AA |
작동 온도: |
150' Ｃ (TJ) |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
50 @ 50mA, 5V |
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
150mA |
제품 상태: |
구식 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
표면 마운트 |
주파수 - 변화: |
6GHz |
패키지: |
스트립 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
12V |
공급자의 장치 패키지: |
- |
Mfr: |
셀 |
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ): |
3.5dB @ 1GHz |
전원 - 맥스: |
1.8W |
이득: |
10dB |
패키지 / 케이스: |
TO-243AA |
작동 온도: |
150' Ｃ (TJ) |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
50 @ 50mA, 5V |
Tags:
