분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
9A |
제품 상태: |
액티브 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
섀시 마운트 |
주파수 - 변화: |
- |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
35V |
공급자의 장치 패키지: |
316-01, 스타일 1 |
Mfr: |
MACOM 테크놀로지 솔루션 |
소음 지수 (F에 있는 dB Typ): |
- |
전원 - 맥스: |
80W |
이득: |
13dB |
패키지 / 케이스: |
316-01 |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
10 @ 4A, 5V |
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
9A |
제품 상태: |
액티브 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
섀시 마운트 |
주파수 - 변화: |
- |
패키지: |
트레이 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
35V |
공급자의 장치 패키지: |
316-01, 스타일 1 |
Mfr: |
MACOM 테크놀로지 솔루션 |
소음 지수 (F에 있는 dB Typ): |
- |
전원 - 맥스: |
80W |
이득: |
13dB |
패키지 / 케이스: |
316-01 |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
10 @ 4A, 5V |
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