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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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BF771E6765N

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설명: RF 트랜지스터, NPN

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사양
강조하다:
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
80mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
8GHz
패키지:
대용품
시리즈:
자동차, AEC-Q101
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
12V
공급자의 장치 패키지:
PG-SOT23-3-4
Mfr:
인피니온 테크놀로지
소음 지수 (F에 있는 dB Typ):
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
전원 - 맥스:
580mW
이득:
15dB
패키지 / 케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
70 @ 30mA, 8V
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
80mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
8GHz
패키지:
대용품
시리즈:
자동차, AEC-Q101
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
12V
공급자의 장치 패키지:
PG-SOT23-3-4
Mfr:
인피니온 테크놀로지
소음 지수 (F에 있는 dB Typ):
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
전원 - 맥스:
580mW
이득:
15dB
패키지 / 케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
70 @ 30mA, 8V
설명
BF771E6765N
RF 트랜지스터 NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 표면 마운트 PG-SOT23-3-4

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