제품 세부 정보
지불 및 배송 조건
설명: RF 트랜스 NPN 15V 1GHZ 8SOIC
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
1.2A |
제품 상태: |
액티브 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
표면 마운트 |
주파수 - 변화: |
1GHz |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
15V |
공급자의 장치 패키지: |
8 SOIC-EP |
Mfr: |
아날로그 디바이스 인크/맥시엄 인그리게이트 |
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ): |
3.3dB @ 836MHz |
전원 - 맥스: |
6.4W |
이득: |
11.6dB |
패키지 / 케이스: |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 노출형 패드 |
작동 온도: |
150' Ｃ (TJ) |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
100 @ 250mA, 3V |
기본 제품 번호: |
MAX2601 |
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
1.2A |
제품 상태: |
액티브 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
표면 마운트 |
주파수 - 변화: |
1GHz |
패키지: |
튜브 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
15V |
공급자의 장치 패키지: |
8 SOIC-EP |
Mfr: |
아날로그 디바이스 인크/맥시엄 인그리게이트 |
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ): |
3.3dB @ 836MHz |
전원 - 맥스: |
6.4W |
이득: |
11.6dB |
패키지 / 케이스: |
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 노출형 패드 |
작동 온도: |
150' Ｃ (TJ) |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
100 @ 250mA, 3V |
기본 제품 번호: |
MAX2601 |
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