제품 세부 정보
지불 및 배송 조건
설명: RF 트랜스 NPN 16V 870MHZ 8SO
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
200mA |
제품 상태: |
구식 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
표면 마운트 |
주파수 - 변화: |
870MHz |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
16V |
공급자의 장치 패키지: |
8-SO |
Mfr: |
마이크로세미 |
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ): |
- |
전원 - 맥스: |
2.2W |
이득: |
8dB ~ 9.5dB |
패키지 / 케이스: |
8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비) |
작동 온도: |
- |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
30 @ 50mA, 5V |
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
200mA |
제품 상태: |
구식 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
표면 마운트 |
주파수 - 변화: |
870MHz |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
16V |
공급자의 장치 패키지: |
8-SO |
Mfr: |
마이크로세미 |
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ): |
- |
전원 - 맥스: |
2.2W |
이득: |
8dB ~ 9.5dB |
패키지 / 케이스: |
8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비) |
작동 온도: |
- |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
30 @ 50mA, 5V |
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