분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
50mA |
제품 상태: |
구식 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
구멍을 통해 |
주파수 - 변화: |
1.5GHz |
패키지: |
테이프 및 상자(TB) |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
15V |
공급자의 장치 패키지: |
TO-92-3 |
Mfr: |
반 |
소음 지수 (F에 있는 dB Typ): |
- |
전원 - 맥스: |
350mW |
이득: |
14dB ~ 26dB |
패키지 / 케이스: |
TO-92-3 (TO-226AA) 형성된 리드인 TO-226-3 |
작동 온도: |
-55' C ~ 150' C (TJ) |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
20 @ 8mA, 10V |
기본 제품 번호: |
PN356 |
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
50mA |
제품 상태: |
구식 |
트랜지스터형: |
NPN |
장착형: |
구멍을 통해 |
주파수 - 변화: |
1.5GHz |
패키지: |
테이프 및 상자(TB) |
시리즈: |
- |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
15V |
공급자의 장치 패키지: |
TO-92-3 |
Mfr: |
반 |
소음 지수 (F에 있는 dB Typ): |
- |
전원 - 맥스: |
350mW |
이득: |
14dB ~ 26dB |
패키지 / 케이스: |
TO-92-3 (TO-226AA) 형성된 리드인 TO-226-3 |
작동 온도: |
-55' C ~ 150' C (TJ) |
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민): |
20 @ 8mA, 10V |
기본 제품 번호: |
PN356 |
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