분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
105 A |
제품 상태: |
구식 |
장착형: |
섀시 마운트 |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
패키지 / 케이스: |
S-3 모듈 |
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스: |
1.8V @ 15V, 75A(표준) |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
1200 V |
공급자의 장치 패키지: |
S3 |
Mfr: |
리트텔퓨즈 Inc. |
작동 온도: |
-40' C ~ 150' C (TJ) |
경향 - 집전기 절단 (맥스): |
500 uA |
IGBT는 타이핑합니다: |
- |
전원 - 맥스: |
630W |
입력: |
표준 |
프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE): |
5.52nF @ 25V |
구성: |
하프 브리지 |
NTC 서미스터: |
아니 |
분류: |
개별 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈 |
경향 - 수집기 (Ic) (맥스): |
105 A |
제품 상태: |
구식 |
장착형: |
섀시 마운트 |
패키지: |
대용품 |
시리즈: |
- |
패키지 / 케이스: |
S-3 모듈 |
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스: |
1.8V @ 15V, 75A(표준) |
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스): |
1200 V |
공급자의 장치 패키지: |
S3 |
Mfr: |
리트텔퓨즈 Inc. |
작동 온도: |
-40' C ~ 150' C (TJ) |
경향 - 집전기 절단 (맥스): |
500 uA |
IGBT는 타이핑합니다: |
- |
전원 - 맥스: |
630W |
입력: |
표준 |
프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE): |
5.52nF @ 25V |
구성: |
하프 브리지 |
NTC 서미스터: |
아니 |
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