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UDEL Chips Tech Co., Ltd.
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MG75P12E2 양지 전자 기술 IGBT

제품 세부 정보

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설명: 트랜지스터 - IGBT - 모듈 E2

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사양
강조하다:

MG75P12E2

,

양지 전자 기술

,

IGBT

분류:
개별 반도체 제품트랜지스터IGBTIGBT 모듈
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
75 A
제품 상태:
액티브
장착형:
섀시 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
패키지 / 케이스:
모듈
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:
2.25V @ 15V, 50A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
1200 V
공급자의 장치 패키지:
-
Mfr:
양지에기술
작동 온도:
-40' C ~ 150' C (TJ)
경향 - 집전기 절단 (맥스):
1 마
IGBT는 타이핑합니다:
-
전원 - 맥스:
442W
입력:
3상 브리지 정류 회로
프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE):
2.6nF @ 25V
구성:
브레이크와 3상 인버터
NTC 서미스터:
그래요
분류:
개별 반도체 제품트랜지스터IGBTIGBT 모듈
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
75 A
제품 상태:
액티브
장착형:
섀시 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
패키지 / 케이스:
모듈
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:
2.25V @ 15V, 50A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
1200 V
공급자의 장치 패키지:
-
Mfr:
양지에기술
작동 온도:
-40' C ~ 150' C (TJ)
경향 - 집전기 절단 (맥스):
1 마
IGBT는 타이핑합니다:
-
전원 - 맥스:
442W
입력:
3상 브리지 정류 회로
프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE):
2.6nF @ 25V
구성:
브레이크와 3상 인버터
NTC 서미스터:
그래요
설명
MG75P12E2 양지 전자 기술 IGBT

IGBT 모듈 브레이크 1200 V 75 A 442 W 체시 마운트와 함께 세 단계 인버터

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